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IRFP4668PBF
包装 ：Tube；零件状态 ：Active；FET 类型 ：N-Channel；技术 ：MOSFET (Metal Oxide)；漏源电压（Vdss） ：200V；电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） ：130A (Tc)；驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） ：10V；不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） ：5V @ 250µA；不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） ：241nC @ 10V；不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） ：10720pF @ 50V；Vgs（最大值） ：±30V；FET 功能 ：-；功率耗散（最大值） ：520W (Tc)；不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） ：9.7 mOhm @ 81A, 10V；工作温度 ：-55°C ~ 175°C (TJ)；安装类型 ：Through Hole；供应商器件封装 ：TO-247AC；封装/外壳 ：TO-247-3；标准包装数 ：25；
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